K4E171612D-TC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E171612D-TC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 1MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E171612D-TC50/60
K4E171612D-TC50000
K4E171612D-TC50000(00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(44/50)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E171612D-TC50 10.000 Anfrage senden
K4E171612D-TC50 1.920 Anfrage senden
K4E171612D-TC50 1.920 1X16 EDO T Anfrage senden
K4E171612D-TC50/60 12.000 Anfrage senden
K4E171612D-TC50 1.920 Anfrage senden
K4E171612D-TC50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-TC50 2.975 31 Anfrage senden
K4E171612D-TC50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-TC50 19.003 2003+ Anfrage senden
K4E171612D-TC50/60 13.800 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC41LV16100-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100A-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS-50TG TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100AS50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100B-50TL TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C
IC41LV16100S-50T TSOP2(44/50) 3.3 V 50 NS 0 C~+85 C