K4E641611B-TL50

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Hersteller-Nummer K4E641611B-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641611B-TL50 6.500 Anfrage senden
K4E641611B-TL50 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E641611B-TL50 2.000 Anfrage senden
K4E641611B-TL50 8.336 05+ Anfrage senden
K4E641611B-TL50 12.000 Anfrage senden
K4E641611B-TL50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E641611B-TL50 3.000 04+ Anfrage senden
K4E641611B-TL50 1.000 2003+ Anfrage senden
K4E641611B-TL50 13.990 Anfrage senden
K4E641611B-TL50 5.000 2003+ Anfrage senden