K4E641611D-TC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641611D-TC60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641611D-TC6000
K4E641611D-TC60000
K4E641611DTC60

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641611D-TC60 6.500 Anfrage senden
K4E641611D-TC60 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 8.336 05+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 3.200 08+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 1.600 07+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 12.000 Anfrage senden
K4E641611D-TC60 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641611D-TC60 1.930 Anfrage senden
K4E641611D-TC60 20.000 2003+ Anfrage senden