K4E641611D-TI50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer	K4E641611D-TI50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E641611D-TI50/60

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur	-40 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E641611D-TI50	12.000		Anfrage senden
K4E641611D-TI50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E641611D-TI50	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E641611D-TI50	14.900	2003+	Anfrage senden
K4E641611D-TI50	10.500	03+	Anfrage senden