K4E641611E-TC60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4E641611E-TC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen	K4E641611E-TC60000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E641611E-TC60	3.225	200908+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	27.724	04+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	2.258	2006+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	4.156		Anfrage senden
K4E641611E-TC60	3.200	08+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	2.300	07+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	29.164	04+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	29.644	2004+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	29.644	04+	Anfrage senden
K4E641611E-TC60	12.000		Anfrage senden