K4E641611E-TI60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641611E-TI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641611E-TI60 12.000 Anfrage senden
K4E641611E-TI60 10.000 2003+ Anfrage senden
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K4E641611E-TI60 13.800 2003+ Anfrage senden
K4E641611E-TI60 10.230 03+ Anfrage senden