K4E641612B-TC50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612B-TC50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612B-TC50T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612B-TC50 2.258 2006+ Anfrage senden
K4E641612B-TC50 12.000 Anfrage senden
K4E641612B-TC50 8.336 2005+ Anfrage senden
K4E641612B-TC50 2.000 2000+ Anfrage senden
K4E641612B-TC50 13.800 Anfrage senden
K4E641612B-TC50 6.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612B-TC50 2.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4E641612-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416120-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E6416124ETC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC5 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50000 TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-TC50T TSOP2(50) 5.0 V 50 NS 0 C~+85 C