K4E641612C-TC45

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4E641612C-TC45
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	45 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	4M
Bit Organization	x16
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	4th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4E641612C-TL45	TSOP2(50)	5.0 V	45 NS	0 C~+85 C
K4E641612C-TL60/50/45	TSOP2(50)	5.0 V	45 NS	0 C~+85 C
K4E641612D-TL45	TSOP2(50)	5.0 V	45 NS	0 C~+85 C