K4E641612DT160

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612DT160
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612D-T160T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612D-T160T00 6.000 Anfrage senden
K4E641612D-T160T00 6.000 00+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K.4E641612D-PCTC-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E6416120TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612BTC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C -GL60T00 #160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-CT-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-GL160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C