K4E641612DTP60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612DTP60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612D-TP60T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612DTP60 12.000 Anfrage senden
K4E641612DTP60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612DTP60 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E641612DTP60 16.390 2003+ Anfrage senden
K4E641612DTP60 13.800 2003+ Anfrage senden
K4E641612DTP60 6.000 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K.4E641612D-PCTC-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E6416120TC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TC60T00 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612B-TL60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612BTC60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C -GL60T00 #160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-CT-60 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4E641612C-GL160 TSOP2(50) 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C