K4E641612E

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E641612E
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO
Andere Bezeichnungen K4E641612E-TC5
K4E641612E-TC50/60
K4E641612E-TC5000
K4E641612E-TC50000
K4E641612E-TC50T00
K4E641612E-TC6
K4E641612E-TC60
K4E641612E-TC6000
K4E641612E-TC60000
K4E641612E-TC60T00
K4E641612E-TL6
K4E641612E-TL60
K4E641612E-TL60/50
K4E641612E-TL6000
K4E641612E-TL60000
K4E641612E-TL60T00
K4E641612ETC50
K4E641612ETC60

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E641612E-TC60 950 0401+ Anfrage senden
K4E641612E-TC60 6.500 Anfrage senden
K4E641612E-TL60 4.000 Anfrage senden
K4E641612E-TC60 912 0401+ Anfrage senden
K4E641612E-TC60 902 0401+ Anfrage senden
K4E641612E-TL60 960 DC01 Anfrage senden
K4E641612E-TL60 960 1 Anfrage senden
K4E641612E-TL60 9.600 14+ Anfrage senden
K4E641612E-TC60 1.000 0401+ Anfrage senden
K4E641612E-TL60 3.200 2007+ Anfrage senden