K4E661611D-TL50

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E661611D-TL50
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization x16
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4E661611D-TL50 12.000 Anfrage senden
K4E661611D-TL50 10.000 2003+ Anfrage senden
K4E661611D-TL50 12.000 2003+ Anfrage senden
K4E661611D-TL50 20.000 2003+ Anfrage senden
K4E661611D-TL50 6.652 03+ Anfrage senden
K4E661611D-TL50 5.000 2003+ Anfrage senden