K4E661611E-TL50

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer	K4E661611E-TL50
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(50)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	50 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Bit Organization	x16
Power	Low Power
Generation	6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4E661611E-TL50	12.000		Anfrage senden
K4E661611E-TL50	10.000	2003+	Anfrage senden
K4E661611E-TL50	15.300	2003+	Anfrage senden
K4E661611E-TL50	20.000	2003+	Anfrage senden
K4E661611E-TL50	3.580	03+	Anfrage senden
K4E661611E-TL50	5.000	2003+	Anfrage senden