K4E661612D-TC

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4E661612D-TC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX16 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(50)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton