K4F640811C-TC60

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer	K4F640811C-TC60
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	DRAM
IC-Code	8MX8 FP
Andere Bezeichnungen	K4F640811C-TC6000
	K4F640811C-TC60000

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(32)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	5.0 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	8M
Bit Organization	x8
Density	64M
Power	Normal Power
Generation	4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4F640811C-TC60	6.500		Anfrage senden
K4F640811C-TC60000	28		Anfrage senden
K4F640811C-TC60	5.000		Anfrage senden
K4F640811C-TC60	3.200	08+	Anfrage senden
K4F640811C-TC60	800	07+	Anfrage senden
K4F640811C-TC60000	28		Anfrage senden
K4F640811C-TC60	12.000		Anfrage senden
K4F640811C-TC60	10.000	2003+	Anfrage senden
K4F640811C-TC60	129		Anfrage senden
K4F640811C-TC60	800	2000+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
K4F640811B-TC60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811B-TL60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811C-TL60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811D-TC60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811D-TL60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811E-TC60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C
K4F640811E-TL60	TSOP2(32)	5.0 V	60 NS	0 C~+85 C