K4F640812E-TI60

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Hersteller-Nummer K4F640812E-TI60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 8MX8 FP

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(32)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x8
Density 64M
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F640812E-TI60 10.000 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TI60 16.390 2003+ Anfrage senden
K4F640812E-TI60 4.664 03+ Anfrage senden
K4F640812E-TI60 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F640812C-TI60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F640812C-TP60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F640812D-TI60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F640812D-TP60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F640812E-TP60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TI60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F660812C-TP60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TI60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F660812D-TP60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C
K4F660812E-TI60 TSOP2(32) 3.3 V 60 NS -40 C~+85 C