K4F6E3S4HM-GFCL

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4F6E3S4HM-GFCL
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4 MOBILE
IC-Code 512MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 4266 MBPS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F6E3S4HM-GFCL 2.000 5/18/2021 Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 2.000 21-MAY-21 Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 1.870 19+20+ Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 10.000 23+ Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 2.000 19+20+ Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 1.788 19+20+ Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 20.000 22 Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 11.310 Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 10.981 Anfrage senden
K4F6E3S4HM-GFCL 19.471 Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53D512M32D2DS-053 WT:D WFBGA-200 1.1 V 3733 MBPS -35 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F6E3S4HM-GFCL03V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3S4HM-GFCLT3V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3S4HM-TFCL FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
K4F6E3S4HM-TFCL03V FBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D WFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53E512M32D1FW-046 IT:B TFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C
MT53E512M32D1FW-046 IT:B TR TFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS -40 C~+95 C