K4F6E3S4HM-GHCLT2V
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4F6E3S4HM-GHCLT2V |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | LPDDR4 MOBILE |
| IC-Code | 512MX32 LPDDR4 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-200 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.1 V |
| Betriebstemperatur | -40 C~+105 C |
| Geschwindigkeit | 4266 MBPS |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | 10.000 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | 4.000 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | 8.000 | Anfrage senden | |
| K4F6E3S4HM-GHCLT2V | 0 | Anfrage senden |
Cross Reference
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4F6E3S4HB-KHCLT2V | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4UHE3D4AA-TFCL | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| K4UHE3D4AA-TFCL03V CS | FBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-046 AAT:D T R | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-046-AAT | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-046AAT:D IC | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2DS-046AATDT ... | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53D512M32D2NP-046 AAT:D | WFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |
| MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | VFBGA-200 | 1.1 V | 4266 MBPS | -40 C~+105 C |