K4F8E3S4HD-GFCL

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4F8E3S4HD-GFCL
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie LPDDR4 MOBILE
IC-Code 256MX32 LPDDR4

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-200
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.1 V
Betriebstemperatur -40 C~+95 C
Geschwindigkeit 1866 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4F8E3S4HD-GFCL 12.800 22+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 10.000 21+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 10.000 22+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 20.000 21+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 1.633 21+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 1.187 Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 6.000 21+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 21.000 21+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 2.000 19+ Anfrage senden
K4F8E3S4HD-GFCL 2.000 21+ Anfrage senden

Cross Reference

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
MT53E256M32D2DS-046 IT:B VFBGA-200 1.1 V 4266 MBPS 0 C~+85 C

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4F8E3S4HB-MFCJ FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MFCJ03V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HB-MHCJ FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03N FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCL03V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GFCLT3V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCL FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCL02V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C
K4F8E3S4HD-GHCLT2V FBGA-200 1.1 V 1866 MHZ -40 C~+95 C