K4H281638E-TLB3

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Hersteller-Nummer K4H281638E-TLB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 8MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Generation 6th Generation
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H281638E-TLB3 4.000 Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 10.000 2009+ Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 10.000 Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 12.000 Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 6.000 Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 6.988 2003+ Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 18.209 2003+ Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 5.580 03+ Anfrage senden
K4H281638E-TLB3 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC43R16800-6T TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800A-6T TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800A-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800C-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800CC-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800CC-6TL NBSP TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800CC-6TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800E-6TL TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16800E-6TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H281638D-TCB3 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C