K4H510838D-UCB0

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Hersteller-Nummer K4H510838D-UCB0
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 64MX8 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung TRAY
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 64M
Bit Organization x8
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H510838D-UCB0 4.000 Anfrage senden
K4H510838D-UCB0 15.000 09+ Anfrage senden
K4H510838D-UCB0 8.564 09+ Anfrage senden
K4H510838D-UCB0 1.478 2007+ Anfrage senden
K4H510838D-UCB0 8.564 2009+ Anfrage senden
K4H510838D-UCB0 13.500 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H510838A-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838A-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838A-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838A-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-NLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H510838B-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C