K4H511638D-KCB

Produktübersicht

IC Picture

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Hersteller-Nummer K4H511638D-KCB
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1
Andere Bezeichnungen K4H511638D-KCB0
K4H511638D-KCB000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638D-KCB0 4.000 Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 10.000 2009+ Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 10.000 Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 6.000 Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 6.000 Anfrage senden
K4H511638D-KCB 500 2004+ Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 2.580 Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 2.000 Anfrage senden
K4H511638D-KCB0 176 Anfrage senden
K4H511638D-KCB 1.365 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638A-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638A-TLB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TC/LB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TCB0000 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-TLA2 TSOP2(66) 2.5 V 133 MHZ 0 C~+85 C