K4H511638D-UCCC0RA

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Hersteller-Nummer K4H511638D-UCCC0RA
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638D-UCCC0RA 2.712 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 3.840 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 9.600 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 842 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 512 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 1.773 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 44.512 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 100,000+ 2008+ Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 5.760 Anfrage senden
K4H511638D-UCCC0RA 40.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638J-LCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638J-LLCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638N-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638T-BCCCTOO TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638X-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
MT46V32M165P-5B:J TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C