K4H511638DUCC

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Hersteller-Nummer K4H511638DUCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 5th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638DUCC 15.000 09+ Anfrage senden
K4H511638DUCC 1.530 2007+ Anfrage senden
K4H511638DUCC 8.564 Anfrage senden
K4H511638DUCC 13.500 Anfrage senden
K4H511638DUCC 20.160 08+ Anfrage senden
K4H511638DUCC 20.000 2007+ Anfrage senden
K4H511638DUCC 9.600 Anfrage senden
K4H511638DUCC 3.840 07+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638C-UCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638C-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCC00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638CUCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-CCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UC/LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C