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Hersteller-Nummer | K4H511638F/G-HCCC000 |
Hersteller | SAMSUNG |
Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
IC-Code | 32MX16 DDR1 |
Gehäuse | FBGA-60 |
Verpackung | TRAY |
RoHS | RoHS |
Spannungsversorgung | 2.5 V |
Betriebstemperatur | -40 C~+85 C |
Geschwindigkeit | 200 MHZ |
Standard Stückzahl | |
Abmessungen Karton | |
Number Of Words | 32M |
Bit Organization | x16 |
Density | 512M |
Internal Banks | 4 Banks |
Generation | 7th Generation |
Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
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MT46V32M16CY-5B IT:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5B IT:J TR | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5BIT | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5BITJ | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5BLIT | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5BLIT:J | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |
MT46V32M16CY-5BLITJ | FBGA-60 | 2.5 V | 200 MHZ | -40 C~+85 C |