K4H511638F-HCB3

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IC Picture

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Hersteller-Nummer K4H511638F-HCB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1
Andere Bezeichnungen K4H511638F-HCB3T
K4H511638F-HCB3T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-60
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638F-HCB3 4.000 Anfrage senden
K4H511638F-HCB3 5.624 Anfrage senden
K4H511638F-HCB3 2.000 2010+ Anfrage senden
K4H511638F-HCB3 0 Anfrage senden
K4H511638F-HCB3 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43R16320D-6BL BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320D-6BL-TR BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320E-6BL BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320E-6BL-TR BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320F-6BL BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16320F-6BL-TR BGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-GCB30 FBGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-GCB3000 FBGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-GLB3 FBGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638B-ZCB3 FBGA-60 2.5 V 166 MHZ 0 C~+85 C