K4H511638F-LIB3

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Hersteller-Nummer K4H511638F-LIB3
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1
Andere Bezeichnungen K4H511638F-LIB3000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 166 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638F-LIB3 4.000 Anfrage senden
K4H511638F-LIB3 9.600 14+ Anfrage senden
K4H511638F-LIB3 1.074 2009+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDD5116ADTA-6BLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116ADTA-6BLI-E TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116ADTA-6BTI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116ADTA-6BTI-E TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116AFTA-6BTI-E TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
EDD5116AGTA-6BTI-E TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320D-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320D-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320E-6TLA1 TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C
IS43R16320E-6TLI TSOP2(66) 2.5 V 166 MHZ -40 C~+85 C