K4H511638FUCCC

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Hersteller-Nummer K4H511638FUCCC
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 32MX16 DDR1
Andere Bezeichnungen K4H511638F-UCCC000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 32M
Bit Organization x16
Density 512M
Internal Banks 4 Banks
Generation 7th Generation
Power Normal Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H511638FUCCC 970 Anfrage senden
K4H511638FUCCC 5.000 Anfrage senden
K4H511638FUCCC 11.520 Anfrage senden
K4H511638F-UCCC000 800 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4H511638D-UCCC 25 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC0000 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC0RA TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCC10K TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCCORA TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-UCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H511638D-ULCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C