K4H641638N-LCCC-LOT 9

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Hersteller-Nummer K4H641638N-LCCC-LOT 9
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DDR1 SDRAM
IC-Code 4MX16 DDR1

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(66)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 200 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x16
Density 64M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 14th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4H641638N-LCCC-LOT 9 8.743 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS43R16400B-5TL TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
IS43R16400B-5TL-TR TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LC OR LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LC/LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LCCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LCCCT TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LCCCT00 TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LCCCTSG TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C
K4H641638N-LLCC TSOP2(66) 2.5 V 200 MHZ 0 C~+85 C