K4H641638N-LLB3
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4H641638N-LLB3 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | DDR1 SDRAM |
| IC-Code | 4MX16 DDR1 |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | TSOP2(66) |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 2.5 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 166 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 4M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 64M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low Power |
| Generation | 14th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4H641638N-LLB3 | 2.000 | 2009+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS43R16400B-6TL | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
| IS43R16400B-6TL-TR | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4H641638N-LCB3 | TSOP2(66) | 2.5 V | 166 MHZ | 0 C~+85 C |