K4M281633H-RN1H
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4M281633H-RN1H |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 8MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA-54 |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 105MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 9th Generation |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4M281633H-RN1H | 26.688 | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4M281633H-RF1H | FBGA-54 | 3.3 V | 105MHZ | -25 C~+85 C |
| K4M281633H-RG1H | FBGA-54 | 3.3 V | 105MHZ | -25 C~+85 C |
| K4M281633H-RL1H | FBGA-54 | 3.3 V | 105MHZ | -25 C~+85 C |