Bilder dienen nur der Illustration
| Hersteller-Nummer | K4M28163LHBN75 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 8MX16 SD |
| Andere Bezeichnungen | K4M28163LH-BN750 |
| K4M28163LH-BN75T | |
| K4M28163LHBN750JR |
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 9th Generation |
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4M28163LHBN75 | 4.000 | Anfrage senden | |
| K4M28163LHBN75 | 250 | 9 | Anfrage senden |
| K4M28163LHBN75 | 7.959 | Anfrage senden | |
| K4M28163LH-BN75T | 4.009 | 09+ | Anfrage senden |
| K4M28163LH-BN750 | 3.359 | 09+ | Anfrage senden |
| K4M28163LHBN75 | 11.500 | 2008+ | Anfrage senden |
| K4M28163LH-BN750 | 1.756 | 2007+ | Anfrage senden |
| K4M28163LHBN75 | 3.264 | 2006+ | Anfrage senden |
| K4M28163LHBN75 | 1.280 | 2006+ | Anfrage senden |
| K4M28163LHBN750JR | 1.958 | Anfrage senden |