K4M28163PHJG1L
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4M28163PHJG1L |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 8MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+70 C |
| Geschwindigkeit | 105MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
| Generation | 9th Generation |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4M28163PD-VG1L | FBGA | 1.8 V | 105MHZ | -25 C~+70 C |
| K4M28163PF-BG1L | FBGA | 1.8 V | 105MHZ | -25 C~+70 C |
| K4M28163PF-RG1L | FBGA | 1.8 V | 105MHZ | -25 C~+70 C |
| K4M28163PH-BG1L | FBGA | 1.8 V | 105MHZ | -25 C~+70 C |
| K4M28163PH-VG1L | FBGA | 1.8 V | 105MHZ | -25 C~+70 C |