K4M28323LH-HN75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4M28323LH-HN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4M28323LH-HN750
K4M28323LH-HN75000
K4M28323LH-HN750JR
K4M28323LH-HN75T
K4M28323LHHN75T00

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 2.5 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M28323LH-HN75 9.600 14+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 234 06+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 2.411 2008+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 980 2007+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75T 2.548 09+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN750 958 09+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 435 Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 3.300 2008+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75 11.500 2008+ Anfrage senden
K4M28323LH-HN75000 470 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M28323LH-FE75 FBGA-90 2.5 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323LH-FNF75 FBGA-90 2.5 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323LH-FNF7L FBGA-90 2.5 V 133 MHZ -25 C~+85 C