K4M28323PH-HG75

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Hersteller-Nummer K4M28323PH-HG75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 4MX32 SD
Andere Bezeichnungen K4M28323PH-HG750
K4M28323PH-HG75000
K4M28323PH-HG750JR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-90
Verpackung
RoHS RoHS
Spannungsversorgung 1.8 V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 9th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M28323PH-HG75 553 0743+ Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 1.120 Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 1.120 07+PB Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 800 Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 12.500 Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 9.600 14+ Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 3.000 Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 2.000 Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 6.697 07+ Anfrage senden
K4M28323PH-HG75 2.240 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M28323PH-BG75 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323PH-FG75 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323PH-HG90 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323PH-HN75 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M28323PHFG90 FBGA-90 1.8 V 133 MHZ -25 C~+85 C