K4M561633G-BN75

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Hersteller-Nummer K4M561633G-BN75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM MOBILE
IC-Code 16MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4M561633G-BN750
K4M561633G-BN75000
K4M561633G-BN750JR
K4M561633G-BN75T
K4M561633G-BN75T00
K4M561633GBN750000
K4M561633GBN75TJR

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA-54
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.0V/3.3V
Betriebstemperatur -25 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x16
Density 256M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR
Generation 8th Generation

Lager

Teilenummer Menge Stückpreis (USD) Datecode Anmerkung
K4M561633G-BN75 10 0834 Auf Lager Anfrage senden

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4M561633G-BN75 676 08+ Anfrage senden
K4M561633G-BN75 138 08+ Anfrage senden
K4M561633G-BN75 1.189 08+ Anfrage senden
K4M561633G-BN75 9.500 06+ Anfrage senden
K4M561633G-BN750 5.500 Anfrage senden
K4M561633G-BN750JR 4.000 Anfrage senden
K4M561633G-BN75 1.987 Anfrage senden
K4M561633G-BN75 26.880 200831+ Anfrage senden
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K4M561633G-BN75 1.987 0831+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4M561633G-75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BC75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BE75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BF75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-BN75TJR GP FBGA TAP FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-HN75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-R(B)N/G/L/F75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-RBF75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-RBN FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C
K4M561633G-RF75 FBGA-54 3.0V/3.3V 133 MHZ -25 C~+85 C