K4M56163PI-BF750JR
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4M56163PI-BF750JR |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 16MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | TRAY |
| RoHS | RoHS |
| Spannungsversorgung | 1.8 V |
| Betriebstemperatur | 0 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 16M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 256M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Generation | 10th Generation |
| Power | Low, i-TCSR & PASR & DS |
Verfügbare Angebote
| Teilenummer | Menge | Datecode | |
|---|---|---|---|
| K4M56163PI-BF750JR | 11.000 | Anfrage senden | |
| K4M56163PI-BF750JR | 11.000 | 07+ | Anfrage senden |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| IS42VM16160K-75B | FBGA | 1.8 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4M56163PG-BF75 | FBGA | 1.8 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |
| K4M56163PG-RF75 | FBGA | 1.8 V | 133 MHZ | 0 C~+85 C |