K4Q160411D-BL60

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4Q160411D-BL60
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie DRAM
IC-Code 4MX4 EDO

Produktbeschreibung

Gehäuse FBGA
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 5.0 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 60 NS
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x4
Density 16M
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4Q160411D-BL60 6.988 2003+ Anfrage senden
K4Q160411D-BL60 7.600 2003+ Anfrage senden
K4Q160411D-BL60 4.300 03+ Anfrage senden
K4Q160411D-BL60 20.000 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4Q160411C-BC50/60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-BC60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-BL60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-FC50/60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-FC60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411C-FL60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411D-BC50/60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411D-BC60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411D-FC60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C
K4Q160411D-FL60 FBGA 5.0 V 60 NS 0 C~+85 C