K4S280832D-TC75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer	K4S280832D-TC75
Hersteller	SAMSUNG
Produktkategorie	SDRAM
IC-Code	16MX8 SD
Andere Bezeichnungen	K4S280832D-TC7500
	K4S280832D-TC75000
	K4S280832D-TC75T0
	K4S280832D-TC75T00
	K4S280832DTC75
	K4S280832DTC75T

Produktbeschreibung

Gehäuse	TSOP2(54)
Verpackung
RoHS	Leaded
Spannungsversorgung	3.3 V
Betriebstemperatur	0 C~+85 C
Geschwindigkeit	133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words	16M
Bit Organization	x8
Density	128M
Internal Banks	4 Banks
Power	Normal Power
Generation	5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer	Menge	Datecode
K4S280832D-TC75	26	2003	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	14	2000	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	2.000	7	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	2.000	07+	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	2.000	2008+	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	10.000	2009+	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	2.257	09+	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	1.000	2009+	Anfrage senden
K4S280832D-TC75	10.000		Anfrage senden
K4S280832D-TC75	1.600	200835+	Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer	Gehäuse	Spannungsversorgung	Geschwindigkeit	Betriebstemperatur
IS42S81600E-75ETL	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TC75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TC7500	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TC75000	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TC75T00	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TCL75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TL75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832A-TLC75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832B-TC75	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C
K4S280832B-TC7500	TSOP2(54)	3.3 V	133 MHZ	0 C~+85 C