K4S280832E-TC75

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Hersteller-Nummer K4S280832E-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX8 SD
Andere Bezeichnungen K4S280832E-TC7500
K4S280832E-TC75000
K4S280832E-TC75T
K4S280832E-TC75T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S280832E-TC75 20 6 Anfrage senden
K4S280832E-TC75 4.000 10+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 1.360 2009+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 1.854 2007+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 3.211 10+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 3.522 10+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 500 2009+ Anfrage senden
K4S280832E-TC75 10.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S81600E-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC7500 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC75000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TCL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TLC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832B-TC75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832B-TC7500 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C