K4S280832M-TC1H

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Hersteller-Nummer K4S280832M-TC1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 16MX8 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 16M
Bit Organization x8
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 1st Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S280832M-TC1H 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 10.000 Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 12.000 Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 6.000 Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 8.902 2003+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 20.000 2003+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 4.050 03+ Anfrage senden
K4S280832M-TC1H 5.000 2004+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S81600A-10TL TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC1HSAMSUN TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TL1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832A-TL1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832B-NC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832B-NL1H00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S280832B-NL1L00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C