K4S281632B-TC/L1

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Hersteller-Nummer K4S281632B-TC/L1
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V281620FTP-H-A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800B-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800B-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800D-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800D-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ET TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ET-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800F-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C