K4S281632B-TC1LSAMSUN

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Hersteller-Nummer K4S281632B-TC1LSAMSUN
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 3rd Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632B-TC1LSAMSUN 2.000 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IC42S16800-10T TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800A-10TL TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC/L1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1H/TC75 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1H000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1HORCVER TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1HSAMSUN TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1HT TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1HT00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C
K4S281632B-TC1L00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ 0 C~+85 C