K4S281632C-TP1H

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Hersteller-Nummer K4S281632C-TP1H
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 100 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 4th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632C-TP1H 144 7 Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 2.000 2008+ Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 2.144 Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 1.865 2007+ Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 10.000 Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 12.000 Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 6.000 Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S281632C-TP1H 17.900 2003+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
IS42S16800A-10TLI TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TI/P1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TI1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632CTI1HT TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-L1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC/L1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC1H TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC1H/L TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC1H00 TSOP2(54) 3.3 V 100 MHZ -40 C~+85 C