K4S281632D(E F)TC-75

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Hersteller-Nummer K4S281632D(E F)TC-75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low, i-TCSR & PASR & DS
Generation 5th Generation

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
( K4S281632K-UI75) TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-75TC TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-NC75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-NC7C TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-NL7 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-NL75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-NL7C TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-UI75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D/ETC75 TSOP2 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C