K4S281632D-TP55

Produktübersicht

IC Picture

Bilder dienen nur der Illustration

Hersteller-Nummer K4S281632D-TP55
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 183MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power
Generation 5th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632D-TP55 10.000 2009+ Anfrage senden
K4S281632D-TP55 10.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP55 12.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP55 6.000 Anfrage senden
K4S281632D-TP55 6.988 2003+ Anfrage senden
K4S281632D-TP55 7.800 2003+ Anfrage senden
K4S281632D-TP55 20.000 2003+ Anfrage senden
K4S281632D-TP55 3.000 2003+ Anfrage senden
K4S281632D-TP55 5.210 03+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S281632D-TC55 TSOP2(54) 3.3 V 183MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TI55 TSOP2(54) 3.3 V 183MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TL55 TSOP2(54) 3.3 V 183MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TP55K4S281632D TSOP2(54) 3.3 V 183MHZ -40 C~+85 C
K4S281632DTC550 TSOP2(54) 3.3 V 183MHZ -40 C~+85 C