K4S281632E-TC75

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Hersteller-Nummer K4S281632E-TC75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S281632E-TC75000
K4S281632E-TC750T00
K4S281632E-TC75T
K4S281632E-TC75T-T
K4S281632E-TC75T0
K4S281632E-TC75TOO
K4S281632ETC7500
K4S281632ETC75T00

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632E-TC75 134 Anfrage senden
K4S281632E-TC75 184 1346+ Anfrage senden
K4S281632E-TC75 25 1310+ Anfrage senden
K4S281632E-TC75 579 Anfrage senden
K4S281632ETC75T00 2.500 Anfrage senden
K4S281632E-TC75 600 04+ Anfrage senden
K4S281632E-TC75 1.770 03+ Anfrage senden
K4S281632E-TC75 189 1346+ Anfrage senden
K4S281632E-TC75 618 0613/0 Anfrage senden
K4S281632E-TC75 13.200 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
HY57V281620FTP-H-A TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800B-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800B-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800D-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800D-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ET TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ET-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800E-75ETL-TR TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S16800F-75ETL TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C