K4S281632O-LP75

Produktübersicht

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Hersteller-Nummer K4S281632O-LP75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 8MX16 SD
Andere Bezeichnungen K4S281632O-LP75000

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(54)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur -40 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 8M
Bit Organization x16
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Low Power

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S281632O-LP75 77 Anfrage senden
K4S281632O-LP75 2.000 2010+ Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
K4S281632C-TI75T00 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TP1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632C-TP75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632CTI/P75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632CTI75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632CTI75T TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TB75/TL75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC/L75 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C
K4S281632D-TC1L000 TSOP2(54) 3.3 V 133 MHZ -40 C~+85 C