K4S281633HBN75
Produktübersicht
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| Hersteller-Nummer | K4S281633HBN75 |
| Hersteller | SAMSUNG |
| Produktkategorie | SDRAM MOBILE |
| IC-Code | 8MX16 SD |
Produktbeschreibung
| Gehäuse | FBGA |
| Verpackung | |
| RoHS | Leaded |
| Spannungsversorgung | 3.3 V |
| Betriebstemperatur | -25 C~+85 C |
| Geschwindigkeit | 133 MHZ |
| Standard Stückzahl | |
| Abmessungen Karton | |
| Number Of Words | 8M |
| Bit Organization | x16 |
| Density | 128M |
| Internal Banks | 4 Banks |
| Power | Low, i-TCSR |
| Generation | 9th Generation |
FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)
| Teilenummer | Gehäuse | Spannungsversorgung | Geschwindigkeit | Betriebstemperatur |
|---|---|---|---|---|
| K4S281633A-BN75 | FBGA | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |
| K4S281633FBN75 | FBGA | 3.3 V | 133 MHZ | -25 C~+85 C |