K4S283232E-TC/L75

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Hersteller-Nummer K4S283232E-TC/L75
Hersteller SAMSUNG
Produktkategorie SDRAM
IC-Code 4MX32 SD

Produktbeschreibung

Gehäuse TSOP2(86)
Verpackung
RoHS Leaded
Spannungsversorgung 3.3 V
Betriebstemperatur 0 C~+85 C
Geschwindigkeit 133 MHZ
Standard Stückzahl
Abmessungen Karton
Number Of Words 4M
Bit Organization x32
Density 128M
Internal Banks 4 Banks
Power Normal Power
Generation 6th Generation

Verfügbare Angebote

Teilenummer Menge Datecode
K4S283232E-TC/L75 515 2007 Anfrage senden
K4S283232E-TC/L75 515 2006 Anfrage senden

FFFE (Form, Fit & Functional Equivalents)

Teilenummer Gehäuse Spannungsversorgung Geschwindigkeit Betriebstemperatur
EDS1232AATA-75-E TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S32400E-75ETL TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S32400E-75ETL-TR TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S32400F-75ETL TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42S32400F-75ETL-TR TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42SM32400F-75 TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
IS42SM32400G-75 TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S283232E-TC75 TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S283232E-TC75T TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C
K4S283232E-TL75 TSOP2(86) 3.3 V 133 MHZ 0 C~+85 C